SFIは、特許取得済みのナノ技術を用いて、高抵抗材料を結晶間相として形成し、さらに独自の安定分散技術により半導体粒子を均一にコーティングすることで、960℃以下の低温焼結を実現しています。

また、気候変動へのリスクに対応するため、ISO 14064-1に基づく温室効果ガスの排出量調査を導入。
2023年度には以下の排出実績を記録しました：
・総排出量：3879.094 tCO₂e
・スコープ1（直接排出）：32.969 tCO₂e
・スコープ2（間接排出）：3207.647 tCO₂e
・スコープ3・4（その他間接排出）：63.990 / 574.488 tCO₂e

SFIは、2050年までに温室効果ガスの実質ゼロ排出（カーボンニュートラル）を達成することを目指し、
その一環として、ISO 50001（エネルギー管理システム）を導入。
2030年までに再生可能エネルギー使用比率20％以上（RE20）を実現すべく、取り組みを強化しています。

SFIは、特許技術である「二分法ドーピング」を活用し、複数の三価・四価イオンを酸化亜鉛粒子に添加することで、半導体特性を強化。このプロセスにより、製品は高温環境下でも業界最高水準のα値（非線形係数）を維持します。

この高α値こそが、SFIの技術的な中核であり、材料の性能を左右する重要な指標です。
また、ナノレベルの良好なコーティングにより漏れ電流を最小限に抑制。さらに、極めて微細な高抵抗材料の採用により、低温焼結が可能となり、純銀を内電極として使用できる点も、性能と環境対応の両立に寄与しています。

SFIは、セラミック本体の製造工程に正温度係数（PTC）材料を導入することで、
非常に低い漏れ電流特性を実現しています。
この構造により、温度変化に応じた製品特性が安定して発揮され、
特に高温環境下での性能は業界トップクラスを誇ります。

SFIのセラミック本体は低温焼結が可能な独自構造を持っており、これにより純銀を内電極として使用することを実現しています。
単一金属である純銀は、合金と比べて優れた導電性と低い焼結温度を持つため、製品の電気性能と製造効率の両立に大きく貢献しています。