Product
CSPD Family

CSPDファミリーは、SFIが先進の技術力を駆使して開発した高性能チップ型サージ保護デバイスChip Surge Protection Device)です。


CSPDは、優れた電気特性(ブレークダウン電圧、非線形α値、漏れ電流Ir、電気容量の集中度とばらつきの少なさ)を持ち、市場で一般的に使用されているGDT、MOV、TVSが抱える課題を克服します。

超低クランプ電圧と高速応答により、より高い保護性能を実現し、繰り返しのサージ電流にも耐えられます。

内部構造


動作原理

SFIプロジェクトセンターでは、酸化亜鉛バリスタ材料の製造において革新的な新たなアプローチをいち早く提唱し、5年以上にわたる不断の努力により、その科学的根拠と先進性が実証されました。

この新たな発想をもとに、材料開発のさまざまな分野で画期的な成果を上げており、多様な性能を有する酸化亜鉛系セラミック材料の開発に成功しています。
これらの新材料の大部分はすでに複数シリーズの酸化亜鉛バリスタ製品として製品化され、実際に顧客へ提供されています。

主要な性能指標は、国際大手メーカーと同等、またはそれを上回るレベルに到達しており、さらに:

  • 酸化亜鉛セラミックの低温焼結の実現

  • 純銀を内電極として採用

  • 無毒性の溶剤を使用しつつ、使用量の大幅削減

など、環境負荷の軽減と貴金属資源の使用削減にも大きく貢献しています。

以下に、この成果を段階的にまとめた内容をご紹介します:

 

1.新しいコンセプトの提案
2.低温焼結と純銀内電極の採用(世界初)
3.高電位勾配を持つ酸化亜鉛バリスタセラミック材料(世界最高レベル)
4.高通流エネルギー対応の酸化亜鉛バリスタセラミック材料(世界最高通流能力)
5.高温環境でも使用可能な酸化亜鉛バリスタセラミック材料(世界最高の動作温度)


エネルギー消費を削減し、グリーンな職場環境を創出し、地球環境を守る



特長

  1. 小型・大エネルギー対応で高密度回路に最適
  2. 高速な過電圧保護応答
  3. 複数回のサージ吸収が可能
  4. 低漏れ電流
  5. 双方向保護対応
  6. 高温環境に強い特性
  7. 無極性設計によりレイアウトが容易
  8. 量産しやすい構造
  9. ロット検査による高い品質信頼性

 

 

SGD Family

SGDファミリーは、革新的なSGDパッケージ技術によって開発された過電圧保護デバイスです。

配線パターンを備えた2枚のPCBを使用し、ウェハーの特性を引き出すことで、TVSと同等の特性を持ちながら、より優れた通電性能と高い組立性を実現しています。

この製品は、電子機器の回路に並列で接続することで過電圧から回路を保護し、主に以下の用途に使用されます:

  • USB、HDMI、RFインターフェースなどの信号ラインのESD保護

  • 3C(コンシューマー・コンピュータ・通信)製品

  • 産業用データ制御機器

  • 車載電子機器での距離センサ信号伝送

  • 医療用電子機器



内部構造



原理説明

SGDは、SFIが独自に開発した次世代型の革新的半導体パッケージ製造プロセスです。
本技術では、同一のウェハー基板を用いながら、従来のワイヤーボンディング(Wire Bond)による電極引き出し方式を、鉛フリーのはんだペースト(Clipper Bond)による接合方式に置き換えることで、電気特性を取り出します。

この革新により、生産良率の向上や工数の大幅削減が可能になるだけでなく、電極の接合面積が拡大することで、瞬間的な耐電流性能も向上しています。

また、この製造プロセスを応用することで、TVSダイオード、スイッチングダイオード、ショットキーダイオードといった各種素子をチップ型パッケージへと変換でき、従来のリード型部品に代わる小型・薄型・軽量な実装を実現。
これにより、システム製品の開発がより高密度・省スペース化へと対応できるようになります。


特長

  1. 小型ながら大エネルギー対応で高密度回路に最適
  2. 高速な過電圧保護応答
  3. SGD技術により、ワイヤー接触から面接触に変更しエネルギー吸収能力を強化
  4. 低漏れ電流
  5. 双方向保護機能
  6. 超低容量設計
  7. 無極性設計によりレイアウトが容易
  8. 量産性が高く、スケーラブルな供給が可能
  9. ロットごとの厳格な検査により、品質が安定
  10. サイズ・電圧・電流・容量など多様な仕様から選択可能

 

USB、HDMI、RF端子などのESD保護、コンシューマー製品、車載電子機器の信号保護などに最適です。

製品シリーズ
MLV Family

MLVファミリーは、SMDタイプの多層バリスタ(MLV:Multilayer Varistor)で、ESD/サージ保護(USB、HDMI、RF端子など)、雷サージ防護、産業制御、車載電子機器などの分野で広く使用されています。

内部構造

原理説明

酸化亜鉛(ZnO)の結晶粒は、高抵抗のビスマス富相に囲まれており、これにより特有の非オーム接触(non-ohmic contact)が形成されます。
通常時(低電圧下)では、この構造によって非常に高いインピーダンスが維持され、漏れ電流を抑えることで省エネ効果
が得られます。

しかし、突発的な過電圧が発生し、電圧が臨界点を超えると、製品はブレークダウン現象を起こし、インピーダンスが急激に0.5〜3Ωまで低下します。
これにより、過電流を素早くグランドに逃がすことで、突波保護の役割を果たします。

特長

  1. 小型設計で高密度回路に最適
  2. 高速な過電圧応答
  3. 複数回のサージ(ESD、雷など)を吸収可能
  4. 低漏れ電流
  5. 双方向保護機能
  6. 優れた温度安定性
  7. 低コストかつ量産対応
  8. 無極性設計により実装しやすい
  9. サイズ、電圧、電流、容量など多様な仕様から選択可能